3um中紅外MCT兩級(jí)TE冷卻光電探測(cè)器2-12um ,PV-2TE系列

PV-2TE系列是基于復(fù)雜的HgCdTe異質(zhì)結(jié)構(gòu)的兩級(jí)熱電冷卻紅外光電探測(cè)器，具有優(yōu)秀的性能和穩(wěn)定性。器件在λ_opt時(shí)達(dá)到它本身能達(dá)到的的最佳性能。起始波長(zhǎng)可根據(jù)需要進(jìn)行優(yōu)化。

產(chǎn)品型號(hào)：

更新時(shí)間：2024-12-05

廠商性質(zhì)：經(jīng)銷(xiāo)商

訪問(wèn)量：1341

產(chǎn)品咨詢(xún) 18602170419

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產(chǎn)品分類(lèi)

光電探測(cè)器

探測(cè)器芯片超快光電探測(cè)器/EOT 單光子探測(cè)器/計(jì)數(shù)器光電倍增管其他光電探測(cè)器 Ge鍺光電探測(cè)器 Ge鍺光電二極管砷化銦InAs/銦砷銻InAsSb InP磷化銦光電探測(cè)器 Si硅光電探測(cè)器 Si硅光電二極管 InGaAs銦鎵砷光電二極管 InGaAs銦鎵砷光電探測(cè)器 MCT碲鎘汞探測(cè)器

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應(yīng)用領(lǐng)域	化工,能源,建材/家具,電子/電池

3um中紅外MCT兩級(jí)TE冷卻光電探測(cè)器2-12um ,PV-2TE系列

PV-2TE系列是基于復(fù)雜的HgCdTe異質(zhì)結(jié)構(gòu)的兩級(jí)熱電冷卻紅外光電探測(cè)器，具有優(yōu)秀的性能和穩(wěn)定性。器件在λ_opt時(shí)達(dá)到它本身能達(dá)到的的最佳性能。起始波長(zhǎng)可根據(jù)需要進(jìn)行優(yōu)化。反向偏壓可以顯著提高響應(yīng)速度和動(dòng)態(tài)范圍，以及高頻下的性能，但偏置器件中出現(xiàn)的1/f噪聲可能會(huì)降低低頻下的性能。3°楔狀藍(lán)寶石(wAl2O3)或硒化鋅抗反射涂層(wZnSeAR)窗口可防止不必要的干擾影響。

光譜響應(yīng)

2.0-12um

技術(shù)參數(shù)

產(chǎn)品特點(diǎn)

● 含有兩級(jí)TE制冷以提高探測(cè)器性能

● 可探測(cè)中紅外波長(zhǎng)范圍2-12μm

● 可配專(zhuān)用前置放大器

● 帶有抗反射涂層窗口鏡

產(chǎn)品應(yīng)用

● 醫(yī)學(xué)熱成像

● 紅外光譜分析

● 中紅外氣體吸收檢測(cè)

● 中紅外激光探測(cè)

參數(shù)	探測(cè)器型號(hào)
參數(shù)	PV-2TE-3	PV-2TE-3.4	PV-2TE-4	PV-2TE-5	PV-2TE-6	PV-2TE-8	PV-2TE-10.6
有源元件材料	外延MCT異質(zhì)結(jié)構(gòu)
最佳波長(zhǎng)λopt，μm	3	3.4	4	5	6	8	10.6
探測(cè)靈敏度D*(λpeak），cm·Hz?/w	≥1×1011	≥6×1010	≥4×1010	≥1.5×1010	≥5×109	≥4×108	≥2×108
探測(cè)靈敏度D*(λopt），cm·Hz?/W	≥7×1010	≥4×1010	≥3×1010	≥9×109	≥2×109	≥2×108	≥1×108
電流響應(yīng)度Ri(λopt)，A/W	≥0.5	≥0.8	≥1.0	≥1.3	≥1.5	≥0.8	≥0.4
時(shí)間常數(shù)T，ns	≤280	≤200	≤100	≤80	≤50	≤45	≤10
電阻-感光元件面積乘積R·A,Ω·cm2	≥150	≥3	≥2	≥0.1	≥0.02	≥0.0002	≥0.0001
有源元件溫度Tdet,K	~230
感光面面積A，mm×mm	0.05×0.05,0.1×0.1						0.05×0.05
封裝	TO8,TO66
接收角Φ	～70°
窗口	wAl2O3				wZnSeAR