Ge大光敏面鍺光電二極管 800-1800nm 直徑 5mm雙波段光電二極管，它集成了上下緊貼在一起的兩個(gè)光電探測(cè)器(硅基底在上，銦鎵砷基底在下)，組合波長范圍從400到1700 nm。

產(chǎn)品型號(hào)：IRD-GE-05

更新時(shí)間：2024-12-04

廠商性質(zhì)：經(jīng)銷商

訪問量：1899

產(chǎn)品咨詢 18602170419

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產(chǎn)品分類

光電探測(cè)器

超快光電探測(cè)器/EOT 單光子探測(cè)器/計(jì)數(shù)器光電倍增管其他光電探測(cè)器 Ge鍺光電探測(cè)器 Ge鍺光電二極管砷化銦InAs/銦砷銻InAsSb InP磷化銦光電探測(cè)器 Si硅光電探測(cè)器 Si硅光電二極管 InGaAs銦鎵砷光電二極管 InGaAs銦鎵砷光電探測(cè)器 MCT碲鎘汞探測(cè)器

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品牌	其他品牌	產(chǎn)地類別	進(jìn)口
應(yīng)用領(lǐng)域	化工,能源,建材/家具,電子/電池

筱曉光子庫存?zhèn)溆懈鞣N有效面積和封裝的PIN結(jié)二極管(PD)，包括銦鎵砷(InGaAs)、磷化鎵(GaP)、硅(Si)和鍺(Ge)光電二極管。我們有高速硅光電二極管。也有在900到2600 nm的范圍內(nèi)具有高響應(yīng)率，其探測(cè)波長超過典型銦鎵砷光電二極管的1800 nm。雙波段光電二極管，它集成了上下緊貼在一起的兩個(gè)光電探測(cè)器(硅基底在上，銦鎵砷基底在下)，組合波長范圍從400到1700 nm。

為了豐富我們的光電二極管產(chǎn)品線，我們提供已安裝的光電二極管便于客戶供電即用，探測(cè)器有效面積邊緣的不均勻性可能引起不必要的電容電阻效應(yīng)，從而扭曲光電二極管的時(shí)域響應(yīng)。因此，我們建議使光入射在有效面積中心。為此，可以在探測(cè)器前放置聚焦透鏡或者針孔

產(chǎn)品特點(diǎn)

● 小光敏面大光敏面可選 (100µm to 25mm)

● 800nm to 1800nm 光譜響應(yīng)

● 高線性 > 10 dBm

● 可以定制透鏡組合(Biconvex, Planoconvex, or Ball)

● 封裝方式可選(TO-46, TO-18, TO-5, TO-8, TO-9 or BNC)

產(chǎn)品應(yīng)用

● 激光功率計(jì)

● LED/LD老化診斷

● 光譜學(xué)

● LED/LD特性

● 眼睛安全激光檢測(cè)傳感器

技術(shù)參數(shù)

參數(shù)規(guī)格
探測(cè)材料	Ge
響應(yīng)波長	800 - 1800 nm
峰值波長	1550 nm (Typ.)
響應(yīng)度	0.85 A/W (Typ.)
光敏面直徑	19.6 mm2 (?5 mm)
上升/下降沿時(shí)間 (RL = 50 Ohms, 10 V)	220 ns / 220 ns (Typ.)
NEP, Typical (1550 nm)	4.0 x 10-12 W/Hz1/2 (Typ.)
暗電流 (5 V)	60 µA (Max.)
電容(10 V) 電容(0 V)	1800 pF (Max.) 16000 pF (Max.)
分流電阻	4000 Ohm (Typ.)
封裝形式	TO-8
最大擊穿打壓	10 V
操作溫度	-55 to 60 °C
存儲(chǔ)溫度	-55 to 60 °C