中紅外熱電冷卻光電導(dǎo)HgCdTe探測(cè)器是一種熱電冷卻光電導(dǎo)HgCdTe(碲鎘汞，MCT)探測(cè)器。這種材料對(duì)2.0到15 μm的中紅外光譜波段光波敏感。
中紅外熱電冷卻光電導(dǎo)HgCdTe(碲鎘汞，MCT)探測(cè)器 2.0 - 15μm / 450KΩ

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更新時(shí)間：2024-12-04

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光電探測(cè)器

超快光電探測(cè)器/EOT 單光子探測(cè)器/計(jì)數(shù)器光電倍增管其他光電探測(cè)器 Ge鍺光電探測(cè)器 Ge鍺光電二極管砷化銦InAs/銦砷銻InAsSb InP磷化銦光電探測(cè)器 Si硅光電探測(cè)器 Si硅光電二極管 InGaAs銦鎵砷光電二極管 InGaAs銦鎵砷光電探測(cè)器 MCT碲鎘汞探測(cè)器

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品牌	其他品牌	產(chǎn)地類別	進(jìn)口
應(yīng)用領(lǐng)域	化工,能源,建材/家具,電子/電池

10.6μm碲鎘汞(MCT)中紅外光電探測(cè)器是一種熱電冷卻光電導(dǎo)HgCdTe(碲鎘汞，MCT)探測(cè)器。這種材料對(duì)2.0到15 μm的中紅外光譜波段光波敏感。半導(dǎo)體制冷片(TEC)采用一個(gè)熱敏電阻反饋電路對(duì)探測(cè)器元件的溫度控制在-30 °C，從而將熱變化對(duì)輸出信號(hào)的影響最小化。為了獲得最佳效果，我們推薦將輸出電纜(不附帶)與一個(gè)50歐姆的終端連接。由于探測(cè)器是AC偶合的，因此它需要一個(gè)脈沖或斬波輸入信號(hào)。交流耦合探測(cè)器不會(huì)看到未斬波的直流信號(hào)，因?yàn)樗鼈儗?duì)只對(duì)強(qiáng)度變化而不是強(qiáng)度的絕對(duì)值敏感。

技術(shù)參數(shù)

中紅外熱電冷卻光電導(dǎo)HgCdTe探測(cè)器光電探測(cè)器 MCT-15-4TE 參數(shù)

項(xiàng)目	數(shù)值
光電探測(cè)器	MCT探測(cè)器
光敏面大小	2X2mm
光學(xué)窗口	WZNSE AR
響應(yīng)波長(zhǎng)范圍	2.0 - 15μm
峰值波長(zhǎng)	10.6um
相對(duì)響應(yīng)強(qiáng)度	0.26A/W@10.6um
方向性	±10o
NEP	6*10-15 W/Hz1/2
工作帶寬	10HZ-14MHZ
Voltage Noise Density (0.02 MHz)	3.7nv/Hz1/2
響應(yīng)度Detectivity±20%（9um）	1.0E+10cmHz?/W
Responsivity±20% (λ=9 μm)	0.23A/W
輸出阻抗	450KΩ
尺寸	27×49.4×25
最大輸出電壓	±10V
工作溫度	10~50 oC
最大壓力差	±50kPa