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產(chǎn)品中心光電探測器
product
產(chǎn)品分類
50Gbps56Gbaud APD Chip（銦鎵砷） InGaAs雪崩光電二極管（APD）芯片
更新時間：2025-10-29
產(chǎn)品型號：
瀏覽量：1706
10Gbps InGaAs APD Chip φ40um（銦鎵砷） InGaAs雪崩光電二極管（APD）芯片
更新時間：2025-10-29產(chǎn)品型號：瀏覽量：1403
高性能硒化鉛(PbSe)單通道紅外探測器(非制冷與制冷型) 硒化鉛(PbSe)單通道紅外探測器在1至5um光譜范圍內(nèi)進行物質(zhì)分析時，能提供性能與特性的z佳平衡。其高靈敏度、快速響應(yīng)時間以及業(yè)界優(yōu)秀的可靠性相結(jié)合，可確保在任何需要的時間和場合都能提供穩(wěn)定一致的性能表現(xiàn)。
更新時間：2025-11-01產(chǎn)品型號：瀏覽量：1608
320-1100nm放大型固定增益硅光電探測器 銦鎵砷雪崩光電探測器(APD)設(shè)計用于提供比標(biāo)準(zhǔn)PIN探測器更強的靈敏度和更低的噪聲，非常適合于低光功率級別的應(yīng)用。除了我們標(biāo)準(zhǔn)的APD之外，還提供具有可變增益(即M因子)和/或溫度補償?shù)陌姹尽?/p>
更新時間：2025-11-10產(chǎn)品型號：瀏覽量：1981
硅 Silicon 帶放大高速光電探測器 ET-2030A 美國EOT 產(chǎn)品總覽 筱曉光子公司代理美國的EOT(Electro-Optics Technology)公司全線產(chǎn)品EOT 的放大光電探測器()包含利用光伏效應(yīng)將光功率轉(zhuǎn)換為電流的 PIN 光電二極管和允許測量1 mW 輸入功率的固定增益跨阻放大器。
更新時間：2024-12-06產(chǎn)品型號：瀏覽量：2278